|
| 起源の場所: | 西安シャンシー中国 |
| ブランド名: | XINLAND |
| 証明: | CE |
| モデル番号: | 技術LD6310半導体レーザー |
TO-18 （Ø5.6mm） LD6310小型半導体レーザー技術的な635nm-10mw
速い細部
原産地:西安シャンシー中国
銘柄:XINLAND
型式番号:635
タイプ:半導体レーザー
パッケージのタイプ:穴を通して
最高po （MW）:700MW
上（C）:- 10-40
Ith （mA）:110mA
IOP （mA）:810mA
Vop （v）:2.46V
供給の能力
供給の能力:1ヶ月あたりの10000の部分/部分
包装及び配達
包装の細部
静電気袋
港:
西安シャンシー
調達期間:
| 量（部分） | 1 - 500 | >500 |
| 米国東部標準時刻.時間（幾日） | 5 | 交渉されるため |
●特徴
-低い動作電流
の高さの効率
の高さの信頼性
の高さの精密パッケージ
-目に見える光熱出力:λp =635nm
-パッケージのタイプ:TO-18 （Ø5.6mm）
-半導体レーザーを監視するための作り付けの写真のダイオード
●TC =25℃の絶対最高評価
| 項目 | 記号 | 評価 | 単位 |
| 光学出力電力 | PO | 12 | MW |
| LDの逆電圧 | VLDR | 2 | V |
| PDの逆電圧 | VPDR | 30 | V |
| PDの前方流れ | IPDF | 10 | mA |
| 操作の温度 | 上 | -10 | +40 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40 | +85 | ℃ |
●TC =25℃の電気および光学特徴
| 項目 | 記号 | 分 | タイプ。 | 最高 | 単位 | 条件 |
| Lasingの波長 | λp | 630 | 635 | 640 | nm | PO =10mW |
| 境界の流れ | Ith | - | 30 | 35 | mA | - |
| 動作電流 | IOP | - | 55 | 65 | mA | PO =10mW |
| 斜面の効率 | η | 0.25 | 0.5 | 0.65 | mW/mA | PO =5-10mW |
| モニターの流れ | Im | 0.03 | 0.12 | 0.5 | mA | PO =10MW、VPDR =5V |
| 作動の電圧 | Vop | - | 2.2 | 2.5 | V | PO =10mW |
| 平行発散の角度 | θの‖ | 6 | 7.5 | 11 | deg | |
| 垂直な発散の角度 | θ⊥ | 30 | 33 | 40 | deg | |
| 平行FFPの偏差角度 | △θの‖ | - | - | ±2 | deg | |
| 垂直なFFPの偏差角度 | △θ⊥ | - | - | ±2 | deg | |
| 放出ポイント正確さ | △Xの△Y、△Z | - | - | ±80 | µm |
LT-LD6310半導体レーザーの技術的なデータ
●Ciruit及び輪郭内部次元（単位:mm）
