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| 起源の場所: | 西安シャンシー中国 |
| ブランド名: | XINLAND |
| 証明: | CE |
| モデル番号: | XLD635010 |
635nm Pbの自由なガラス帽子が付いている赤い小型半導体レーザーTO-18 （ψ5.6mm）
LD6305半導体レーザーの技術的なデータ
●特徴
- 低い動作電流
- 高性能
- 高い信頼性
- 高精度のパッケージ
-目に見える光熱出力:λp =635nm
- パッケージのタイプ:TO-18 （Ø5.6mm）
- 半導体レーザーを監視するための作り付けの写真のダイオード
●TC =25℃の絶対最高評価
| 項目 | 記号 | 評価 | 単位 |
| 光学出力電力 | PO | 7 | MW |
| LDの逆電圧 | VLDR | 2 | V |
| PDの逆電圧 | VPDR | 30 | V |
| PDの前方流れ | IPDF | 10 | mA |
| 操作の温度 | 上 | -10 | +40 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40 | +85 | ℃ |
●TC =25℃の電気および光学特徴
| 項目 | 記号 | 分 | タイプ。 | 最高 | 単位 | 条件 |
| Lasingの波長 | λp | 630 | 635 | 640 | nm | PO =5mW |
| 境界の流れ | Ith | - | 20 | 25 | mA | - |
| 動作電流 | IOP | - | 30 | 35 | mA | PO =5mW |
| 斜面の効率 | η | 0.6 | 0.8 | 1.0 | mW/mA | PO =3-5mW |
| モニターの流れ | Im | 0.05 | 0.1 | 0.3 | mA | PO =5MW、VPDR =5V |
| 作動の電圧 | Vop | - | 2.2 | 2.5 | V | PO =5mW |
| 平行発散の角度 | θの‖ | 6 | 8 | 11 | deg | |
| 垂直な発散の角度 | θ⊥ | 24 | 27 | 32 | deg | |
| 平行FFPの偏差角度 | △θの‖ | - | - | ±3 | deg | |
| 垂直なFFPの偏差角度 | △θ⊥ | - | - | ±3 | deg | |
| 放出ポイント正確さ | △Xの△Y、△Z | - | - | ±80 | µm |
LT-LD6305半導体レーザーの技術的なデータ
●Ciruit及び輪郭内部次元（単位:mm）
