商品の詳細:
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波長: | 405nm | 出力電力: | 10-300mW |
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モード タイプ: | SM | レーザーのタイプ: | Fp |
パッケージのタイプ:: | TO38 | 働く温度: | 10℃~+40℃ |
ハイライト: | XLD-405小型半導体レーザー,405nm小型半導体レーザー,XLD-405紫外線半導体レーザー |
工場レーザー モジュールに専用されている卸し売り青い半導体レーザーの良質の半導体レーザー青い紫色ライト
プロダクト:
製品仕様書:
波長 | 部品番号 | 出力電力 | モード タイプ | レーザーのタイプ | パッケージ | PD | FAC |
405nm | XLD 405 010m 1 PD | 10mW | SM | FP | TO18 | √ | × |
XLD-405-150m-1 (3.8mm) | 150mW | SM | FP | TO38 | × | × | |
XLD-405-150m-1 (5.6mm) | 150mW | SM | FP | TO18 | × | × | |
XLD-405-200m-1 | 200mW | SM | FP | TO38 | × | × | |
XLD-405-250m-1 | 250mW | SM | FP | TO18 | × | × | |
XLD-405-300m-1 (SM) | 300mW | SM | FP | TO18 | × | × |
半導体レーザーからの光の放射:
AlGaAs、InGaAIP、InGaNおよびZnOのような化合物半導体はLSIs、悪い推移確率(ライトに現在の回転の確率)を特色にするトランジスターおよびダイオードに使用する慣習的なケイ素の代りに要素材料として普通採用されるそれを半導体レーザーのために不適当にさせる。
注意:
1. レーザーの管は十分に冷却条件の下で射出するか、または使用される必要がある。
2.半導体レーザーは静電気の敏感な装置である。帯電防止手段は取られるべきである。それらは人体が十分に根拠のあるのとき取ることができる。さもなければ、レーザーの管は静電気によって容易にレーザーの管を壊れるためにもたらすために破壊され。帯電防止帯電防止リスト・ストラップと装備することができる。
3. この半導体レーザーによって出るレーザー光線は人間の目への損害を与えるかもしれない。
コンタクトパーソン: Mrs. Nica Chow
電話番号: +86-13991354371
ファックス: 86-29-81323155