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距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー

距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー

Product Details:
起源の場所: 西安シャンシー中国
ブランド名: XINLAND
証明: CE
モデル番号: XL-LD8505
Detail Information
起源の場所:
西安シャンシー中国
ブランド名:
XINLAND
証明:
CE
モデル番号:
XL-LD8505
適用::
レーザーの距離計、共焦点の顕微鏡
起源の場所:
西安シャンシー中国
銘柄::
XINLAND
タイプ::
半導体レーザー
パッケージのタイプ::
表面の台紙
最高。前方電圧:
-
最高。逆電圧:-:
-
最高。前方流れ::
-
ハイライト:

High Light

ハイライト:

距離計850nmの半導体レーザー

,

顕微鏡850nmの半導体レーザー

,

850nmマイクロ半導体レーザー

Trading Information
最小注文数量:
100pcs
パッケージの詳細:
1pcs/polybagの10pcs/inner箱、100pcs/ctn
受渡し時間:
7日
支払条件:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:
1日あたりの1000ダース/ダース
Product Description

XL-LD8505小型半導体レーザーレーザーの距離計、共焦点の顕微鏡

 

特徴

- 低い動作電流

- 高性能

- 高い信頼性

- 高精度のパッケージ

-赤外線光熱出力:λp =850nm

- パッケージのタイプ:TO-18 (Ø5.6mm)

- 半導体レーザーを監視するための作り付けの写真のダイオード

 

TC =25℃の絶対最高評価

項目 記号 評価 単位
光学出力電力 PO 7 MW
LDの逆電圧 VLDR 2 V
PDの逆電圧 VPDR 30 V
PDの前方流れ IPDF 10 mA
操作の温度 -10 | +60
保管温度 Tstg -40 | +85

 

TC =25℃の電気および光学特徴

項目 記号 タイプ。 最高 単位 条件
Lasingの波長 λp 845 850 855 nm PO =5mW
境界の流れ Ith - 10 20 mA -
動作電流 IOP - 20 30 mA PO =5mW
斜面の効率 η - 0.7 0.9 mW/mA PO =2-5mW
モニターの流れ Im 0.2 0.4 0.5 mA PO =5MW、VPDR =5V
作動の電圧 Vop - 2.2 2.5 V PO =5mW
平行発散の角度 θの‖ 7 9 12 deg
垂直な発散の角度 θ⊥ 25 32 40 deg
距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー 0平行FFPの偏差角度 △θの‖ - - ±2 deg
垂直なFFPの偏差角度 △θ⊥ - - ±3 deg
放出ポイント正確さ △Xの△Y、△Z - - ±60 µm  

 

 

LT-LD8505半導体レーザーの技術的なデータ

 

Ciruit及び輪郭内部次元(単位:mm)

いいえ。 部品 材料 終わり
半導体レーザーの破片 AlGaInP/GaAlAs -
Fe めっきされるAu
帽子 45合金 Ni+Pdはめっきした
窓ガラス ホウケイ酸ガラス タイプ。n=1.516 (λp = 830nm)
鉛ピン Kovar めっきされるAu

 

絶対最高評価(Tc=25℃ (ノート1))

変数 記号 価値 単位
光学出力(CW) (ノート2) Po 700 MW
光学出力(脈拍) (ノート3) PP 2,000 MW
逆電圧 Vrl 2 V
実用温度(場合温度) 上(c) -10 | +70
保管温度 Tstg -40 | +85
はんだ付けする温度(ノート4) Tsld 350

(ノート1) Tc:場合温度

(ノート2) CW:モールス式電信符号波操作

(ノート3)の脈拍:脈拍操作(脈拍幅:1μs義務:10%)

(ノート4)のはんだ付けする温度の平均のはんだごての先端温度(力20W)はんだ付けしている間。

 

はんだ付けする位置は場合のボトム エッジから離れて1.6mmである。(液浸の時間:≦3s)

変数 記号 条件 Min. タイプ。 最高。 単位
境界の流れ Ith - - 250 T.B.D. mA
動作電流 IOP

 

 

 

 

Po=700mW

- 870 T.B.D. mA
作動の電圧 Vop   - 2 T.B.D. V
波長 λp   840 850 860 nm
1/e2強度の角度(平行) (ノート2,3,4) θ∥ (1/e2)   T.B.D. 13.5 T.B.D. °
1/e2強度の角度(垂直) (ノート2,3) θ⊥ (1/e2)   T.B.D. 40 T.B.D. °
ミスアラインメントの角度(平行) (ノート3) Δθ∥ (1/e2)   -5 - 5 °
ミスアラインメントの角度(垂直) (ノート3) Δθ⊥ (1/e2)   -5 - 5 °
差動効率 ηd 600mW I (700mW) -私(100mW) 0.7 1.0 1.3 mW/mA
よじれさせなさい(ノート5) K-LI P1=140mW、P2=420mW P3=700mW -10 - 10

 

距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー 1

 

距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー 2

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