ケイ素のなだれフォトダイオードはレーザー コミュニケーションで使用される感光性要素を示す。逆バイアスがケイ素から成っているフォトダイオードのP-Nの接続点に適用された後photocurrent形作るために入射光はP-Nの接続点によって吸収される。SiAPDの応答の波長は260-1100nmをカバーする。APDに内部利益メカニズムがある。通常のPINの管によって比較されて、それは逆バイアスの下で何百もの時に低い暗電流を維持している間10を信号提供できより速い応答の速度およびより高いSN比がある。
ケイ素のなだれフォトダイオード(SiAPDs)企業の開発の状態そして予測
「第13五ヶ年計画」の期間(2017-2021年)の間に、2017年に全体的なケイ素のなだれフォトダイオード(SiAPDs)市場規模は米ドル66.4百万だった。、QYRによって最も最近の研究に従って過去の2年以内に伝染病によって影響を与えられて、2021の全体的なケイ素のなだれフォトダイオード(SiAPDs)市場規模は2017年から2021まで5年の混合の成長率が3.99%のUS$77.66百万である。「第14五ヶ年計画」の期間(2021-2025年全体的なスケールが2025年に94.17百万のドルに達し、2021-2025の間の混合の成長率が4.94%であると)の間に、推定されている。
なだれフォトダイオードは境界の下に比較的高い逆電圧で(普通ボルトもの10また更に何百)作動する時々ほんの少しだけ半導体のフォトディテクター(フォトダイオード)、である。この範囲では、光子の吸収によって刺激されるキャリアは(電子および穴)頻繁に光電子増倍管で起こる強い内部電界によって加速され、それから二次キャリアは発生する。なだれプロセスは少数のミクロンの間隔にだけ起こり、photocurrent何回も増幅することができる。従って従って、なだれフォトダイオードは非常に敏感な探知器として使用することができより少なく電気信号の拡大およびより少なく電子騒音を要求する。但し、なだれプロセス自体に量の騒音および前述の利点を否定するアンプの騒音がある。付加的な騒音は付加的な雑音指数Fの理想的なフォトディテクターと比較される電子ノイズ パワーの増加を特徴付ける要因によって量的に記述することができる。
ケイ素 ベースのなだれダイオードはSiがこの波長範囲のピン・ダイオードをより600-800 nmのすなわちわずかにより小さい波長の範囲で最も高いresponsivityとの450-1000 nm (1100時々までnm)の波長範囲で敏感、である。Siの乗法の要因(別名利益)は装置設計および応用逆電圧によって50と1000の間にAPDs、変わる。
中国のSiAPD装置の局在化そして大量生産の研究は比較的遅い始めた。現在、国内SiAPD装置はまだ外国巨人後ろ遅れる。主要な遅延区域はプロダクトの不完全な連載をもたらす適用の欠乏である。
スマートな運転のような適用の急速な開発によって、スマートな家および高感受性の検出の、低照度および単一光子の検出は激増を経験する。SiAPD装置技術に主に2つの開発の方向がある、1つは装置の小型化そして統合である。一方では、SiAPD装置の性能は紫外の、赤外線およびnear-infraredバンドの検出のresponsivityの改善のような更に、改善される。SiAPD技術の連続的な開発およびSiAPD大量生産の技術の成熟と、低価格を使うとSiAPD装置および優秀な性能はに分野ますます適用することができる。
調査に従って、全体的なケイ素のなだれフォトダイオード(SiAPDs)市場規模はおよそ米ドル2021年に77.66百万で、期間2022-2028年の6.45%の混合物の年間成長率(CAGR)との2028年に116.99百万、米ドルに達すると期待される。
2021年に、中国はグローバル市場の分け前の5.06%を占める。中国の市場の混合の成長率が次の6年以内に9.75%であり、スケールが2028年に7.34百万のドルに達すると推定されている。アジア太平洋地域の重要な市場の位置は数年以内により顕著になる。
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