商品の詳細:
|
原産地:: | 西安シャンシー中国 | 銘柄:: | XINLAND |
---|---|---|---|
型式番号:: | 635nm-10mw | タイプ:: | 半導体レーザー |
パッケージのタイプ:パッケージのタイプ:: | 穴を通して | 最高po (MW):: | 700mW |
上(C):: | -10-40 | Ith (mA):: | 110mA |
ハイライト: | 10mw小型半導体レーザー,635nm小型半導体レーザー,18 10mw半導体レーザーに |
TO-18 (Ø5.6mm) LD6310小型半導体レーザー技術的な635nm-10mw
速い細部
原産地:西安シャンシー中国
銘柄:XINLAND
型式番号:635
タイプ:半導体レーザー
パッケージのタイプ:穴を通して
最高po (MW):700MW
上(C):- 10-40
Ith (mA):110mA
IOP (mA):810mA
Vop (v):2.46V
供給の能力
供給の能力:1ヶ月あたりの10000の部分/部分
包装及び配達
包装の細部
静電気袋
港:
西安シャンシー
調達期間:
量(部分) | 1 - 500 | >500 |
米国東部標準時刻.時間(幾日) | 5 | 交渉されるため |
●特徴
-低い動作電流
の高さの効率
の高さの信頼性
の高さの精密パッケージ
-目に見える光熱出力:λp =635nm
-パッケージのタイプ:TO-18 (Ø5.6mm)
-半導体レーザーを監視するための作り付けの写真のダイオード
●TC =25℃の絶対最高評価
項目 | 記号 | 評価 | 単位 |
光学出力電力 | PO | 12 | MW |
LDの逆電圧 | VLDR | 2 | V |
PDの逆電圧 | VPDR | 30 | V |
PDの前方流れ | IPDF | 10 | mA |
操作の温度 | 上 | -10 | +40 | ℃ |
保管温度 | Tstg | -40 | +85 | ℃ |
●TC =25℃の電気および光学特徴
項目 | 記号 | 分 | タイプ。 | 最高 | 単位 | 条件 |
Lasingの波長 | λp | 630 | 635 | 640 | nm | PO =10mW |
境界の流れ | Ith | - | 30 | 35 | mA | - |
動作電流 | IOP | - | 55 | 65 | mA | PO =10mW |
斜面の効率 | η | 0.25 | 0.5 | 0.65 | mW/mA | PO =5-10mW |
モニターの流れ | Im | 0.03 | 0.12 | 0.5 | mA | PO =10MW、VPDR =5V |
作動の電圧 | Vop | - | 2.2 | 2.5 | V | PO =10mW |
平行発散の角度 | θの‖ | 6 | 7.5 | 11 | deg | |
垂直な発散の角度 | θ⊥ | 30 | 33 | 40 | deg | |
平行FFPの偏差角度 | △θの‖ | - | - | ±2 | deg | |
垂直なFFPの偏差角度 | △θ⊥ | - | - | ±2 | deg | |
放出ポイント正確さ | △Xの△Y、△Z | - | - | ±80 | µm |
LT-LD6310半導体レーザーの技術的なデータ
●Ciruit及び輪郭内部次元(単位:mm)
コンタクトパーソン: Mrs. Nica Chow
電話番号: +86-13991354371
ファックス: 86-29-81323155